欧司朗光电半导体公司的研究人员表示，在所进行的研究中成功在硅衬底上生产出了氮化镓LED芯片，取代了目前普遍使用的较为昂贵的蓝宝石衬底。

硅是一种标准半导体材料，作为LED衬底具有尺寸大、成本低、易加工、导电好等优异性能。但技术难点在于硅与氮化镓的热膨胀系数不同，在制造过程中极易产生应力，从而导致薄膜厚度不均或破裂，因此一直未能在LED业界获得广泛应用。通过一项特殊工艺，新技术不但避免了此前出现的开裂现象，还使新型LED的稳定性和亮度都与传统的蓝宝石基底LED相当，非常适用于高功率固态照明。

借助该技术，欧司朗已经成功生产出一个直径为150毫米(6英寸)的高性能LED晶圆。研究人员已经开始着手调整生产工艺以制造200毫米(8英寸)晶圆。这将进一步增加每个基板上芯片的数量，降低生产成本。据了解，目前LED产业大多以50毫米(2英寸)或100毫米(4英寸)的蓝宝石基板为基础，如能采用硅基氮化镓技术，至少可节省75%的原料成本。

目前这种以薄膜为基础的新型LED还处于样品试制阶段，之后将在现实使用环境中对其进行可靠性测试。初步实验显示，该技术制成的蓝色和白色硅基LED能达到与目前市场上蓝宝石基底产品相似的效能。预计第一款使用该技术的商用LED产品将于两年后上市。

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