WO3薄膜可以采用化学气相沉积（CVD）法制备得到。专家表示，采用CVD方法可以得到高纯度的三氧化钨薄膜，且能完全控制WO3的形貌。但是，专家还提到，该法成本高，不适用于大规模制备。
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这其中，什么是化学气相沉积？化学气相沉积是在反应室中使气体与原料间发生化学反应，生成物经过成核、生长，最后沉积在衬底上形成薄膜的工艺方法，可分为真空CVD、常压CVD、低压CVD、等离子体增强型CVD等。有专家以堇青石蜂窝陶瓷为基体，采用CVD技术负载TiO2载体，沉浸于V、W化合物溶液中，最终制备出V2O5－WO3/TiO2催化剂材料。
