MoO3掺杂氧化钨薄膜可以采用电子束蒸发法在超高真空电子束镀膜机中制备得到，具体地，步骤如下：
蒸发源为掺有MoO3粉末（分析纯）2.5%和5%（重量比）的氧化钨（分析纯）粉末，并压制成直径8mm的小圆柱。基片采用沉积有ITO导电膜的玻璃，方阻约60Ω。蒸发前真空度优于3×10-3Pa，蒸发时基片温度约50℃，蒸发速率约2.5nm/min。蒸发所得的样片再在箱式电炉中进行1h、350℃空气退火。
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此外，专家们还通过变色实验研究了MoO3掺杂量对氧化钨薄膜电致变色特性的影响。变色实验是在两电极恒电压电化学槽中进行，电解液为0.05M的H2SO4溶液，对电极用0.3mm厚的钼片。掺杂氧化钨薄膜的透射光谱用722型光栅分光光度计测量。薄膜厚度用TP-3型椭偏仪测量，测得膜厚约250nm。
