钽掺杂纳米氧化钨薄膜可以通过双靶共溅射方法，采用金属钨靶和陶瓷五氧化二钽靶（Ta2O5）作为靶材制备得到。具体地，如何制备得到Ta掺杂纳米氧化钨薄膜？
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钽掺杂纳米氧化钨薄膜的制备
用直流电源溅射金属W靶，用射频电源溅射Ta2O5靶。衬底为氧化铟锡导电玻璃（方块电阻10-15Ω，Tvis＞80%）和硅片。通入气体前，将沉积室预抽真空至3x10-4PA以下，然后以高纯氩气作为工作气体，高纯氧气作为反应气体，在室温下预溅射20min，待实验参数基本稳定后打开挡板进行溅射镀膜。溅射时通过调节气体流量、溅射功率和溅射时间等沉积参数来制备不同含量Ta掺杂的氧化钨薄膜，并确保薄膜厚度的一致。
