三氧化钨纳米片可以用于制备电致变色薄膜。有专家提出了一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法，具体地：
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第一步：将钨酸盐溶于水配成钨酸盐溶液，再依次在所得钨酸盐溶液中加入过量的盐酸和固体杂多酸，搅拌至无沉淀产生，形成前驱体混合液。其中，钨酸盐为钨酸钠、钨酸钾、钨酸锂或钨酸铵；杂多酸为磷钨酸、磷钼酸、硅钨酸中的一种或几种；杂多酸的加入量是钨酸盐摩尔量的5%-35%。
第二步：在所得前驱体混合液中加入草酸铵作为结构导向剂，以FTO基底为载体，通过水热法在FTO基底上沉积三氧化钨晶体后，将沉积了三氧化钨的FTO基底进行煅烧，即在FTO基底上制得三氧化钨薄膜。其中，水热法在FTO基底上沉积WO3晶体是在高压反应釜中进行，控制温度为100-180℃，反应10-24h。所得薄膜晶型为单斜相，形貌为纳米片状。
