单斜相三氧化钨纳米片可以用于制备电致变色薄膜。所得WO3薄膜的纳米片形貌结构良好，裂纹少，即薄膜的光电性能提高了，因为界面上缺陷的减少，降低了电子与空穴复合的几率，使得电子与空穴复合几率降低，减少了电子在薄膜中传输的阻抗。以下介绍一种设备简单、操作简单可行，能满足工业化生产的三氧化钨电致变色薄膜的制备方法。
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一种三氧化钨电致变色薄膜的制备方法
第一步：称取0.7mmol Li2WO4•2H20溶于30mL去离子水中，室温搅拌下逐滴加入6mL 3MHCl溶液，再加入磷钨酸，加入磷钨酸的摩尔量是钨酸锂的35%，搅拌至白色沉淀不再增加；
第二步：加入1.4mmol (NH4)2C2O4作为结构导向剂，补加去离子水至溶液总体积为70mL，继续搅拌1h；
第三步：将预先清洗好的FTO导电玻璃倾斜放入反应釜内衬中。将第二步所得溶液移入反应釜中，密封后放入鼓风干燥箱中，于200℃下水热反应5h，自然冷却至室温。取出导电玻璃，用去离子水清洗，于烘箱60℃下干燥，在550℃煅烧1h，制得三氧化钨薄膜。
