掺钛氧化钨电致变色薄膜

有专家对不同温度下制备的掺钛氧化钨电致变色薄膜进行XRD分析。下图为不同温度下制备的掺Ti的WO3电致变色薄膜的XRD图谱,与FTO玻璃基底XRD衍射峰(标为△)对比可以发现:

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不同温度下制备掺钛氧化钨电致变色薄膜的XRD图谱

随着温度的升高,在300℃,在2θ=23.96°、2θ=34.04°附近出现新的衍射峰(标为#),经过比对与JCPDF卡片41-0905相符合,对应立方晶系WO3的(100)和(110)晶面。温度升至350℃时,特征峰强度增强,薄膜的结晶程度增强。晶态WO3薄膜掺杂Ti元素后晶体结构发生变化,由单斜晶系转变立方晶系。在衍射图谱中没有检测到TiO2峰,说明少量Ti掺杂在薄膜中未形成独立的TiO2,而Ti4+离子半径(0.0605nm)与W6+离子半径(0.060nm)相近,Ti原子替代部分W原子位置形成置换固溶体。

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