为了解不同氧气分压对Ti掺杂氧化钨电致变色薄膜结构性能影响，有专家采用下述方法先制备得到掺Ti的WO3薄膜。
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http://www.tungsten-powder.com/chinese/tungsten_oxide.html
使用钨钛合金（含钛质量分数6%）作为靶材，在FTO透明导电玻璃（方块电阻为～20Ω）基底上通过脉冲直流电源反应溅射沉积了WO3:Ti薄膜。溅射前本底真空抽至低于4.5*10-4Pa，高纯氩气（99.9%Ar）作为工作气体，高纯氧气（99.9%O2）作为反应气体，基片温度350℃，固定工作气压1.7Pa，通过改变通入O2流量7sccm、9sccm、13sccm、15sccm，沉积了不同氧气分压WO3:Ti薄膜。因为工作气压固定不变，当O2流量增大，Ar分压下降，单位时间内轰击靶材表面的Ar+数量减少，溅射出的W原子减少，导致沉积速率下降。
