专家使用金属钨与钨钛合金为靶材,采用脉冲直流反应磁控溅射的方法分别制备了未掺杂WO3薄膜与钛掺杂三氧化钨电致变色薄膜。研究了在制备过程中,薄膜厚度对薄膜晶体结构,表面形貌以及电致变色性能的影响,发现:
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WO3薄膜着色后产生晶格应变和表面粗糙度的变化,随着薄膜厚度增加,均先减小后增大,在薄膜厚度为250nm时最小。在相同驱动电压下,厚度300nm薄膜褪色时由于产生的晶格应变过大导致锂离子迁移受阻,一部分W5+无法转变成W6+,不能完全褪色,变色幅度变小同时着色效率下降。薄膜厚度为250nm时,电致变色性能最佳,有着较高的光学调制幅度和变色效率。