三氧化钨是制备电致变色薄膜的一种重要原材料。据悉，有专家以金属钨与钨钛合金为靶材，采用脉冲直流反应磁控溅射的方法分别制备了WO3与Ti掺杂WO3薄膜，并研究了薄膜厚度对薄膜晶体结构，表面形貌以及调制幅度、响应时间、循环寿命等电致变色性能的影响。他们发现：
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WO3薄膜着色后产生晶格应变和表面粗糙度的变化，随着薄膜厚度增加，均先减小后增大，在薄膜厚度为250nm时最小。在相同驱动电压下，厚度300nm薄膜褪色时由于产生的晶格应变过大导致锂离子迁移受阻，一部分W5+无法转变成W6+，不能完全褪色，变色幅度变小同时着色效率下降。薄膜厚度为250nm时电致变色性能最佳，有着较高的光学调制幅度和变色效率。
