3月19日，在国际知名科学期刊《自然•材料》上，出现了一篇来自复旦大学修发贤团队的论文——《外尔半金属砷化铌纳米带中的超高电导率》，主要内容为超高导电率的外尔半金属材料砷化铌纳米带的研究。砷化铌纳米带是一种二维材料，其导电率是铜薄膜的一百倍，石墨烯锂电材料的一千倍。
复旦物理学系教授修发贤说，他们是利用氯化铌、砷、氢气三种元素放在一起进行化学反应，制备砷化铌纳米带，其表面有一个表面态，能允许电子在上面快速地通行，并降低能耗。更为重要的是，砷化铌的高电导机制即使在室温下仍然有效，不像超导材料只能在零下几十度超低温下应用。
至于为何砷化铌纳米带具有超强导电率，是因为该材料是外尔半金属。在“外尔半金属”中出现作为准粒子的电子，具有与零质量外尔费米子相同的运动特性。在材料中运动过程中基本不受任何影响。
砷化铌纳米带这种“外尔半金属”，在未来的半导体工业领域，将会有很大的影响。目前的电子器件，电子在不同成分的材料界面上会因为散射而导致很大的损耗，而具备低散射率和高导电率的外尔半金属材料，可以提升半导体元件的效率，降低能量的损耗。
最值得一提的是，目前国外已经实现一种超导材料在电池元器件的应用，有效降低电池损耗。该材料为纳米氧化钨，是一种N型半导体，具有优异的导电性，极小的内阻。
