二硒化钼薄膜如何生产?

作为一种典型的的过渡金属硫化物材料,二硒化钼(MoSe2)具有层状可调的宽带隙半导体相和零带隙金属相结构,所以在半导体电子器件、光电转换器件、催化和储能等领域具有广泛的应用前景。但是,如何生产大面积、均匀、连续、单一相结构的MoSe2薄膜仍是当前研究的难点。

二硒化钼结构图片

二硒化钼结构

目前,MoSe2薄膜的制备方法主要有机械剥离法、液相剥离法、分子束外延、水热法、化学气相沉积等。其中,化学气相沉积法被认为是当前制备大面积、高均一性和层数可控的MoSe2薄膜的最简单有效的方法,但是传统的化学沉积方法无法制备得到均匀、连续的薄膜,而且不易控制膜的厚度。

有鉴于此,有研究者提出了一种新的制备方法,即通过电子束蒸发技术制备了钼金属薄膜,然后在超高真空条件下,采用热蒸镀硒粉对预沉积的钼金属薄膜进行硒化反应,即可得到厚度均匀、大面积及层数可控的二硒化钼薄膜。

研究表明,新方法制备的MoSe2薄膜的厚度主要取决于预沉积钼薄膜的厚度;硒源温度间接决定了与钼反应的硒的蒸发粒子的数量,随着温度的升高,与钼进行反应的硒原子数目不断增加;反应温度和时间对MoSe2薄膜质量的影响很大,比如相结构不单一、化学稳定性较弱和结晶质量较差等。

作为晶体管器件的重要材料,二硒化钼薄膜的结晶质量直接影响器件的电学性能。当薄膜的结晶质量较低时,薄膜内部晶粒尺寸较小,晶界较多,载流子移动速度较慢,因而载流子迁移率也会降低;当薄膜的结晶质量较高时,薄膜内部晶粒尺寸较大,晶界减少,载流子迁移率较高,进而使器件性能较好。

晶体管器件图片

晶体管器件

评论被关闭。

联系地址:福建省厦门市软件园二期望海路25号3楼;邮编:361008 © 1997 - 2022 中钨在线版权所有,未经允许禁止转载 闽ICP备05002525号-1

电话:0592-5129696,0592-5129595;传真:0592-5129797;电子邮件:sales@chinatungsten.com

旧版