三氧化钨薄膜用WO3

三氧化钨薄膜用WO3具有比NiO2、MoO3等过渡金属氧化物更优异的电致变色性能,所以,人们给予了WO3及其电致变色薄膜最大的关注。需要注意的是,氧化钨的性能强烈地依赖于实验制备的方法和条件。

更多内容请访问:
http://www.tungsten-powder.com/chinese/tungsten_oxide.html

三氧化钨薄膜用WO3图片

据专家介绍,WO3还是一种宽带隙半导体,光学带隙在3.00eV左右。那么,什么是宽带隙半导体?通常情况下,宽带隙半导体指的是一类在室温下带隙大于2.0eV的半导体材料。宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件,高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

评论被关闭。

联系地址:福建省厦门市软件园二期望海路25号之一3楼;邮编:361008 © 1997 - 2024 中钨在线版权所有,未经允许禁止转载 闽ICP备05002525号-1

电话:0592-5129696,0592-5129595;电子邮件:sales@chinatungsten.com

旧版