三氧化钨薄膜用WO3具有比NiO2、MoO3等过渡金属氧化物更优异的电致变色性能，所以，人们给予了WO3及其电致变色薄膜最大的关注。需要注意的是，氧化钨的性能强烈地依赖于实验制备的方法和条件。
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据专家介绍，WO3还是一种宽带隙半导体，光学带隙在3.00eV左右。那么，什么是宽带隙半导体？通常情况下，宽带隙半导体指的是一类在室温下带隙大于2.0eV的半导体材料。宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
