离子注入是近三十年来国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术，实现了材料的表面性能的优化或可以获得某些新的优异性能。由于此项高新技术独特而突出的特点，在现代集成电路制造中是一项非常重要的技术。它利用离子注入机实现半导体的掺杂，改变半导体的导电性与晶体管结构。
由于在离子注入时，离子源转换为电浆离子会产生2000℃以上的工作温度，离子束喷发的时候也会产生很大的离子动能，一般的金属很快就会烧熔。因此，需要质量和密度都相对较大的惰性金属，以维持离子束的喷发方向和增加组件耐用度。钨材料的高温化学性能稳定，热变性小和使用寿命长等优点，成为了半导体行业离子注入机离子源件及耗材的首选，发射阴极的屏蔽筒、发射面板、中心固定杆、起弧室内丝极板等这些都统称为离子注入钨零件。
离子注入工艺
离子注入钨零件图片
