高纯钨靶材

高纯钨靶材可以用于半导体等领域。在高纯度钨靶材的制备过程中,可采用电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)对高纯钨(W)粉的纯度进行分析。而对最终制备的高纯W靶材产品,一般采用辉光放电质谱法(GDMS)进行直接分析。高纯钨靶材图片
高纯W粉是制备高纯钨靶材的基础原料。为制备高纯和超纯W粉,一般选用含U和Th低的仲钨酸铵(APT)作原料,通过沉淀分离、溶剂萃取分离、离子交换分离等化学方法,去除APT中的大部分杂质,如As、P、Si等;纯化后的高纯APT通过煅烧、还原等工艺过程,制备出高纯W粉;制得的高纯W粉可采用电子束熔炼、区域熔炼、真空脱气处理等物理提纯工艺,进一步脱除金属钨中杂质,得到更高纯度的高纯W材料。高纯W中痕量元素的测定是评价高纯W性能的重要标准。在高纯W的生产过程中,厂房内应保持高度清洁,以减少产品中的杂质。

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