钨管可以采用化学气相沉积（CVD）制备得到。CVD技术是制备纯钨制品的重要方法。20世纪80年代末，国外已有采用CVD技术制备高致密度、高纯度金属钨制品的研究报告。近年来，国内也大量开展了CVD制备钨涂层的工艺、组织、结构及性能方面的研究。
采用切环测量法及 X 射线应力分析方法对化学气相沉积制备的钨管进行测量与分析。结果表明：
1.钨管沿圆周方向存在残余压应力。残余应力大小随沉积工艺温度升高而降低，随沉积制备钨管管径加大而降低。
2.钨管内存在较大的残余应力。经退火处理后残余应力值下降，应力状态发生变化。
3.钨管内表面低凹处萌生裂纹，裂纹沿着柱状晶晶界向钨管外壁扩展。
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