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作者:钨制品生产商、供应商-中钨在线 文章来源:网络转载 更新时间:2015-9-15 8:46:30 |
铈钨电极取代钍钨电极的一些方面
钍钨电极始用于20世纪50年代初期,它是在钨中加入≤3%的氧化钍。这种材料具有高的电子发射能力,耐烧损性和起弧性能良好;但是,由于钍是放射性元素,在生产、贮藏和使用过程中容易产生放射性污染,危害人体健康,因而从50年代中期开始,人们就开展了代钍材料的研究工作。1956年,美国路易斯(A.Louis)进行了在金属钨粉中直接加入0.5%~3.0%氧化铈粉末的试验,然后通过压坯、垂熔、旋转锻造制出焊接用电极。两年后,他将氧化铈含量减少到0.01%~0.30%,使加工性能得到改善。1965年美国赫尔曼(J.Hermann)采用极细的纯钨粉压制成生坯,将此生坯或经过预烧的坯条浸泡在稀土金属盐类的溶液中,通过渗吸来实现掺杂,随后烧结,并按常规方法旋锻至所需直径。1967年,罗蒙诺夫(V.N.Romonov)研制了含氧化铈1%的铈钨材料,其制备工艺是:在800~850℃下将仲钨酸铵煅烧成三氧化钨,然后将铈的硝酸盐或氧化物水溶液掺入三氧化钨悬浮液中,再把掺杂好的三氧化钨用氢气一次还原成钨粉。加乙醇和甘油混合剂后,在600MPa压力下压成9mm×9mm×400mm的坯条,经过预烧和垂熔后,坯条中CeO2含量为0.87%,旋锻加工时,其加热温度为1475~1500℃。
作为电极材料,电子逸出功的高低是筏量材料电子发射性能好坏的一个重要指标。只有具有低的电子逸出功,才能满足电弧稳定、集中、承载电流密度大的工艺性能要求。实验证明,铈钨电极具有比钍钨电极更低的电子逸出功(纯钨的电子逸出功为4.55eV,W-2%ThO2为2.7eV,W-2%CeO2为2.4eV),这种电极材料比钍钨电极具有更大的优越性。首先,铈钨电极的电子发射能力强,容易得到细长的电弧,使热量更为集中,其许用电流密度比钍钨电极提高5%~8%。其次,铈钨电极的烧损率低,寿命长,引弧和稳弧都易保证。再次,铈钨电极放射性剂量极低,仅及钍钨材料的千分之一左右,相当于大地泥土中的放射剂量。因此采用铈钨电极代替钍钨电极,不仅可以消除生产和使用过程中对人体累积性的内照射危害,并免除对环境的放射性污染,而且在技术性能和使用效果上也能取代钍钨电极,某些性能甚至比钍钨材料更优越。
铈钨电极材料除了在氩弧焊、等离子弧焊方面取代钍钨电极外,在等离子切割、等离子喷涂、等离子熔炼中的应用效果也是令人满意的。此外,作为激光光泵光源,以铈钨电极取代钍钨电极后,使光源的光效提高12%左右,寿命提高5~10倍。在电光源中,对于中小功率氙灯已使用铈钨电极,在电真空中,铈钨材料作为封接件,具有较好的使用效果。
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