Ti掺杂氧化钨的多项性能均比纯氧化钨的好。具体地，有专家采用磁控溅射法制备Ti掺杂氧化钨薄膜，测试结果表明：
Ti掺杂纳米WO3薄膜的晶化程度降低，晶粒细化，晶格结构变疏松，从而其离子抽出和注入的通道大大增多，电响应速度提高，且循环使用寿命提高了４倍以上，但其可见光透射率与未掺杂的相比有所降低。
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专家表示，这是因为Ti的原子半径与Ｗ的原子半径相差不大，因而当采用Ti掺杂WO3时易发生置换反应，从而改变WO3晶格结构，使其晶体缺陷减少。向氧化钨中掺杂Ti，可改变其电致变色性能，使其电响应速度加快，循环使用寿命延长。
