Ni掺杂氧化钨可以采用磁控溅射法制备得到，所得粉末可以用于制备WO3薄膜。有专家以磁控溅射法制备Ni掺杂WO3，研究结果表明：
掺杂Ni后，WO3的可见光透过率降低而着色性能提高，且在低浓度掺杂时效果更明显，而在高浓度掺杂时效果降低；最佳Ni掺杂量在7.8%左右。
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专家表示，Ni掺杂可适当地降低WO3的极化电压，并提高WO3薄膜的稳定性和着色性能。Ni一般以杂质原子的形式进入WO3晶格中，在WO3中有一定的固溶度，形成置换固溶体，从而改变WO3的晶格结构及其性能。
