据储能科学家介绍，钨靶材因有杂质含量低、熔化温度高、结晶性好、高温稳定性能强以及电子逸出功小的特点，而有望成为新一代集成电路栅电极的最佳生产原料。与以前的栅电极如SiO2相比，钨靶材栅电极拥有更不容易出现漏电流的情况，进而能使最终所制备的集成电路的可靠度更高。
伴随着器件尺寸的不断缩小，栅极介质厚度和源漏间距进一步减小，而栅漏电流（其是指PN结在截止时流过的电流。）以及源漏间的漏电流却急剧增加，在5nm以下，由于电子的隧穿效应，SiO2作为栅极介质所产生的漏电流已经无法让工业界所接受了。为了克服这些问题，目前大多数制造商都是采用介电常数较高（high-k）的介质来替代传统的SiO2介质。
高k栅介质能够在保持栅电容不变的同时，增加栅介质的物理厚度，达到降低栅漏电流和提高器件可靠性的双重目的。但是要找到合适高k材料并不是一件很容易的事。高k材料的选择应考虑以下几个问题：合适的k值；较高的禁带宽度和导带价带能带补偿；与半导体接触的热稳定性要好；材料的薄膜性能要好，材料的相变温度应尽量高，组分和结晶性要稳定等。
近几年，随着新型栅电极材料的不断涌现，集成电路的漏电流问题已经得到了很好的解决。其中一款使用钨靶材制作的栅电极的物理化学性能表现较为非凡，这主要源于金属钨是一种难熔金属，具有良好的力学、光学、电学性能等特点。
