高纯钨靶材是典型过渡金属钨的一种化工产品，其因纯度高（大于99.95%），密度大（19.35g/cm3），蒸气压低，蒸发速度小，耐高温性能好等特点，常用来生产厚度超小的氧化钨薄膜。就目前火热的半导体芯片来说，新型氧化钨薄膜能很好的作为它的扩散阻挡层、粘结层和大型集成电路存储器电极等，进而能显著升高芯片产品的综合质量。
高纯钨靶材是如何生产出氧化钨薄膜的呢？溅射法是制备氧化钨薄膜材料的主要技术之一，它通过高速运动的离子轰击钨靶材，产生的原子放射出来累积在基体的表面，形成镀膜。利用靶材溅射沉积法生产的氧化钨薄膜具有致密度高，附着性好、耐腐蚀性能良好等优点，因而适合应用于半导体芯片中。
那钨靶材应如何制作？将钨粉末放入包套并抽真空，采用冷等静压工艺将包套内的钨粉末进行第一次致密化处理，形成第一钨靶材坯料；第一次致密化处理后，去除包套，采用感应烧结工艺将第一钨靶材坯料进行第二次致密化处理，形成第二钨靶材坯料；第二次致密化处理后，采用热等静压工艺将第二钨靶材坯料进行第三次致密化处理，形成钨靶材。利用该方法生产的钨靶材，具有密度高，杂质含量低，机械稳定性强，内部组织结构均匀性好，以及晶粒尺寸较大的特点，能更好地满足现代溅射工艺的要求。
