与传统的蓄电池相比，含有WS2纳米片的锂电池不但容量更大、更绿色环保，而且安全性能也更高，所以更适合为新一代的触屏手机提供能量。
二硫化钨纳米片是典型的二维层状过渡金属二硫族化合物，层内是作用力较强的共价健（S—W—S），而层间是作用力较弱的范德华力，且层间距较大约为0.6nm，有利于尺寸较小的金属离子在基体中扩散，这种特殊的结构可促进锂离子与基体材料的进一步反应。
二硫化钨纳米片的结构类似于通过弱范德华相互作用堆叠2D单层的石墨，幷且2D结构可以提供大的表面积和2D渗透通道以促进电子快速在单层内转运，因此锂离子可以很容易地从该纳米片中插入和脱嵌，所以该纳米片也就被认为是一种有潜力的负极材料。
目前，二硫化钨片状材料的制备方法主要包括自上而下的剥离法（如锂离子插层剥离）和自下而上的合成法（如化学气相沉积法）。
锂离子插层法是利用含锂溶剂（如正丁基锂）嵌入到二维层状纳米材料中，形成中间化合物增大材料的层间间距来感弱层间范德华力，然后超声，最终得到少层甚至单层的纳米片。
化学气相沉积法（CVD）制备WS2片状材料分为2种，一是将钨的前驱体沉积在基体上，然后通入S蒸气或H2s气体进行硫化，在高温的环境下形成所需要的产物；二是将钨和硫都以气体的形式进行反应生成产物。
