高纯氧化钨粉末，也就是主含量较高杂质含量较低的钨氧化物，其因有适中的禁带宽度、较大的比表面积、良好的化学稳定性等特点，而深受半导体传感器领域的欢迎。就新型的乙醇传感器而言，其若选用WO3粉末来作为传感介质的话，那将能显著升高产品的整体质量，如提高检测准确度，加快响应速度等。
据悉，有研究者从材料的组成和结构入手，通过溶剂热法制备了不同组成、结构和形貌特征的氧化钨基纳米半导体材料，并对它们的吸附性能以及光降解罗丹明B性能进行了研究，主要研究内容如下：以乙醇，乙二醇以及微量的水为溶剂，六氯化钨为钨源，通过改变反应时间、温度以及水量制备出不同形貌和结构的氧化钨半导体材料。
通过XRD和SEM等对所制得的纳米氧化钨的组成、结构、形貌以及粒径大小进行表征。在此基础上，对不同条件下得到的氧化钨进行氧化处理，通过改变氧化时间等因素对样品的组成和形貌进行调控，通过XRD和SEM等测试手段对处理后的氧化钨进行表征。对氧化后的样品进行吸附性能和光催化性能进行研究，并观察氧化时间对光催化效果的影响。
研究发现：溶剂热条件下得到的样品具有较高的吸附性能，纳米片结构的样品由于其比表面积比较大，所以吸附效果较好。样品经过氧化处理可以得到纳米异相结构。具有纳米异质结构的氧化钨的催化效果最好，但随着氧化时间的延长，纳米异质结构发生改变，样品的催化效果随之降低，由此我们可通过调控氧化钨的氧化时间来有效控制氧化钨基半导体材料的化学组成和异质结构。
高纯氧化钨半导体除了能作为新型的乙醇传感器之外，还能应用于电容、光学材料、光催化和光电转换等领域中。
