单层二硒化钨凭借着独特的物理化学性质，广泛应用于电子器件、光伏设备等领域中。然而，生产它却十分困难，如常用的化学沉积（CVD）法存在氧化钨和硒源难以蒸发的问题。为了解决上述的不足，有研究者对传统的CVD方法进行了改进，具体步骤如下：
（1）选取两片衬底，并采用标准RCA清洗工艺对其进行清洗，选取两只石英舟分别作为钨舟和硒舟；
（2）将1-100mg的NaCl溶于5mL去离子水中制成盐溶液，将2-20μL的盐溶液滴在第一片衬底前端，再在热板上加热至去离子水完全气化；
（3）在第一片衬底中心盛放3-300mg的WO3后，将其置于钨舟中，把第二片衬底盖在WO3上方的1mm-10mm位置，再将钨舟置于管式炉高温区，随后在硒舟中加入10-500mg的硒粉，并将硒舟置于管式炉低温区；
（4）将高温区升温至100-150℃，使用100-1000sccm流量的氩气吹扫反应腔体15分钟到2小时；
（5）将氩气流量调节至10sccm-200sccm，同时使高温区迅速升温至300-700℃；
（6）降低升温速率，在高温区温度达到600-850℃时，对低温区独立加热，使其中的Se融化并与WO3反应3-60分钟；
（7）自然降温，待温度降至100℃以下，将样品取出密封，即完成单层二硒化钨单晶的制备。
该生产方法的优势在于：1）减少了反应条件，增加了系统的安全性，即不使用氢气；2）使用NaCl的使用，消除了WO3原材料中毒反应的可能，同时采用移液枪精确控制NaCl加入量的方法；3）独立控温区的使用，能够精确控制WSe2形核和生长过程。
