三氧化钨（WO3）的结构不稳定，在-40℃至740℃之间至少有5次相变，三氧化钨纳米线是其中的六方结构。
三氧化钨纳米线是一种独特的N型半导体材料，也是少数几种易于实现量子尺寸效应的氧化物半导体之一，在光催化、电致变色、光致变色、气致变色等方面表现出良好的特性，广泛应用于化学传感器、燃料电池、光电器件等领域。在负极材料和可充电锂离子电池中表现出巨大的应用前景。因这三氧化钨纳米线表现出的良好应用前景，引起了人们对它的深入研究， 通过制备WO3的方法及控制形貌结构的改进来探索其的光催化性能。
三氧化钨纳米线的制备
1.称取3．68g(0．011mol)Na2WO4·2H2O加入到20ml去离子水中搅拌溶解；将3M HCl缓慢滴加到罗丹明B溶液中，搅拌至白色沉淀不再生成，调节pH值到1左右；
2. 加入适量0.125M Na2SO4，继续搅拌2h后将溶液转移到60ml带聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，密封后放入恒温鼓风干燥箱中，在160℃下反应12h；
3. 自然冷却到室温后，将水热反应后的产物离心后分别用去离子水和无水乙醇洗涤3次；将洗涤后的产物转移到表面皿中，放入恒温鼓风干燥箱内，在100℃下干燥12h，得到三氧化钨纳米线。
通过以上水热合成法制得的三氧化钨纳米线尺寸最小却具有最佳的光催化活性，其可见光照射罗丹明B溶液150min后的降解率为96．01％。
