二硫化钨与二硒化钨均是稀有金属钨的一种典型化合物，均是由过渡金属元素（钨）和氧族元素组合成的一种无机物，均具有良好的物理、化学和热学等性质，广泛应用于光电领域。不过，二者在具体概念、性质和用途等方面仍具有较大的区别。注：硫和硒同属ⅥA族元素和氧族元素。
一、定义方面
二硫化钨是一种二维过渡金属层状材料，是由钨和硫元素组成的一种蓝灰色带有金属光泽的细晶或粉末，是辉钨矿的主要成分，英文名为Tungsten disulfide，分子式为WS2。
二硒化钨是由钨和硒元素组成的一种层状材料，是由正四价钨离子（W4+）和负二价硒离子（Se2-）组合成的一种黑色或灰色的固体粉末，是一种低热传导率的多孔状材料（或称为热绝缘体），英文名为Tungsten diselenide，分子式为WSe2。
二、结构方面
WS2的结构为六方晶系层状结构，表面以S-W-S分子团形成六方形网络，层间以范德瓦尔斯力连接，层内以W-S共价键链接。
WSe2的结构为六角形结构，一个钨原子和六个硒原子以三棱镜的配位方式键结，每个硒原子则是以角锥状的组态和三个钨键结，层间以范德华力相结合。
三、性质方面
WS2粉末熔点约1250℃，密度约7.6g/cm³，摩擦系数0.03—0.07，不溶于水，非磁性，不导电，具有较好半导体性、优异润滑抗磨性、良好热化学稳定性、较佳储锂性能、优良抗磁性、氧化性与还原性。
WSe2的外观为黑色或灰色粉末，密度约9.32g/cm3，热传导性能较差（热传导率是钻石的十万分之一），带隙处于宽隙半导体与零带隙石墨烯之间，具有优良的电学、光学性能以及高量子产率。
四、生产工艺方面
WS2常见的生产方法有焙烧分解法和直接合成法。其中，焙烧分解法是指四硫代钨酸铵（(NH4)2WS4）经过高温焙烧先后分解成WS3和WS2的过程。
WSe2的制备步骤：采用磁控溅射法在基底上沉积不同厚度的钨薄膜，对部分钨薄膜进行退火处理；然后将退火以及未退火的钨薄膜与硒粉放在真空石英管中加热，后硒化即可。
五、用途方面
二者均可以应用在润滑、储能电池、半导体和光伏等领域中，适合作润滑剂的添加剂、锂硫电池正极材料的改性剂、晶体管等。
