二碲化钨纳米片（WTe2纳米片）凭借着其良好的半金属性能、较强的电子传输能力以及较多的活性位点等优势，有望成为电化学析氢反应的重要催化剂。因此，文档序号为23479949的专利的研究者提供了一种操作简单、成本低廉且程序可控的生产方法，具体步骤如下：
二碲化钨纳米片结构图
（1）在配制好的钨酸钠溶液中逐滴加入硝酸溶液，直到pH值为2；（2）取步骤（1）的溶液到高压釜中，将碳布清洗干净后放入高压釜中并密封，在170-190℃下保持12小时；（3）将高压釜冷却至室温后，取出碳布，清洗并干燥处理后于330-370℃下煅烧12小时，得到三氧化钨/碳布(WO3/CC)；（4）将上述制备的WO3/CC 放入管式炉进行煅烧，升温至550-650℃，同时将适量碲粉放到管式炉的上游区域，使得这块上游区域的反应温度为450℃，同时通入氩气和氢气，管式炉保温一段时间，后随炉冷却至室温即可。
三氧化钨
该生产方法的注意事项：1）步骤（2）中的碳布清洗依次用高锰酸钾，去离子水和乙醇超声清洗；1）步骤（3）中的碳布清洗用去离子水和乙醇冲洗数次，并于80℃下在环境空气中干燥。
该生产技术的优点：在其它实验条件不变下，通过控制管式炉的保温时间，可以控制WTe2纳米片的大小和厚度；选用碳布作为基底，在其表面合成WTe2纳米片，可以暴露出更多的活性位点，有利于电催化析氢；适合进行大规模制备。
