與石墨烯層狀結構相似的二硫化鉬（MoS2）同樣能被剝離成單原子層的二維材料，其在電子器件、催化、光電領域等中具有極大的潛在應用價值。當前，常使用化學氣相沉積法來製備尺寸較大且表面均勻的MoS2，但是襯底上的雜質或劃痕等缺陷易限制產品核的生長。因此，下文將為大家介紹一種單層二硫化鉬的新生產方法。其具體步驟如下：
（1）挑選矽片，處理後矽片表面覆蓋了一層二氧化矽，二氧化矽表面拋光，二氧化矽的厚度可以是100-300nm，形成二氧化矽/矽襯底。
（2）用電子分析天平分別稱取一定品質的硫粉和三氧化鉬粉末，並放在兩個石英舟中。
（3）將清洗好的二氧化矽/矽襯底面朝下放在盛有三氧化鉬粉末的石英舟中（在鉬源下游一定距離處），並將其放在管式爐中間的高溫區；將盛放硫粉的石英舟放在管式爐前部的低溫區。
（4）加熱前，先通氮氣15-45min，流速為50-500sccm，將管式爐中的空氣排出，之後持續通入流速為75-150sccm的氮氣作為保護氣氛。
（5）開始加熱，15-45min內將管式爐加熱到生長所需的溫度，然後保持此溫度40-80min來生長二硫化鉬。
（6）生長結束後，繼續通入50-500sccm的氮氣，等待管式爐自然降至室溫。
此外，下文還將介紹一種清洗襯底的方法：（1）襯底先在洗潔精溶液中超聲30-90min；（2）然後在去離子水中超聲5-20min(3次)；（3）最後在酒精中超聲5-20min（3次）；（4）清洗完的襯底保存在酒精溶液中待用；（5）實驗時取出，用氮氣氣槍吹幹後，再用氧等離子清洗機清洗1-5min。
該生產方法的優點如下：（1）清洗襯底時沒有使用丙酮、食人魚溶液等有毒危險藥品清洗襯底，避免了潛在的危險；（2）減少了清洗襯底的操作步驟；（3）採用常壓化學氣相沉積法，不需要抽真空過程，進一步減少了操作步驟，使得實驗可以快捷方便地進行；（4）簡化了升溫過程，不需要分段升溫。
