6N鎢靶材指的是純度為6N的鎢靶材，首先是由一家日本公司研製出來的。經高溫處理後，該類靶材材料具有良好的耐熱性和與氧化鉭的相容性，可用於取代二矽化鉬（MoSi2）和二矽化鎢（WSi2）作為佈線材料。
由日本公司研製得到的6N鎢靶材的直徑為300mm，其中鈉和鉀的含量各低於10x10-9，鐵、鎳、鉻、銅、鋁的含量各低於200X10-9，鈾和釷的含量低於0.2X10-9，氧低於80X10-6，金屬雜質總量低於1X10-6。
隨著半導體積體電路的集成度越來越高，半導體電路中電晶體和線路的尺寸越來越小，對所用的鎢等材料的純度要求也越來越高。大規格積體電路製造中所使用的純鎢靶材的純度要求達到99.999%（5N）以上，甚至達到99.999%（6N）。除了總雜質含量要越低越好之外，金屬鎢中存在的個別雜質元素對半導體積體電路也存在著不利的影響。因此必須對原材料中該類元素的含量進行控制。
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